Refine
Добавить в избранное Главная  ·  Поиск рефератов  ·  Украинские рефераты ·  Карта сайта  

Радиоэлектроника, компьютеры, периферийные устройства > Лазеры на гетеропереходах, полупроводниковые лазеры


Лазеры на гетеропереходах, полупроводниковые лазеры

Страница: 1/4
трона, а между парой широких энергетических зон. Поэтому переход электрона из зоны проводимости в валентную зону с последующей рекомбинацией приводит к излучению, лежащему в относительно широком спектральном интервале и составляющему несколько десятков нанометров, что намного шире полосы излучения газовых или твердотельных лазеров. 2. Создание инверсной населенности в полупроводниках. Рассмотрим собственный полупроводник. В условиях термодинамического равновесия валентная зона полупроводника полностью заполнена электронами, а зона проводимости пуста. Предположим, что на полупроводник падает

Название: Лазеры на гетеропереходах, полупроводниковые лазеры
Дата публикации: 2004-09-11

Реклама



Page generation 0.024 seconds