Микроэлектроника и функциональная электроника

Страница: 7/10

3. Рассчитываем коэффициент формы резисторов и его относительную погрешность:

( 5.3)

( 5.4)

где DrS/rS – относительная погрешность воспроизведения удельного поверхностного сопротивления легированного слоя, которая вызвана особенностями технологического процесса, для расчета примем ее равной 0,05; ТКR – температурный коэффициент сопротивления базового слоя, он равен 0,003 1/°С.

Результаты расчета следующие:

R1 - R4 :

КФ = 21,094; DКФ/ КФ = 0,00474

R5 :

КФ = 15,719; DКФ/ КФ = 0,00636

4. Рассчитаем минимальную ширину резистора bточн, которая обеспечит заданную погрешность геометрических размеров:

( 5.5)

где Db – погрешность ширины резистора;

Dl – погрешность длины резистора

В нашем случае

R1 - R4 :

bточн = 1,0455 мкм

R5 :

bточн = 1,0617 мкм

5. Определяем минимальную ширину резистора bP , которая обеспечит заданную мощность Р:

( 5.6)

где Р0 – максимально допустимая мощность рассеяния для всех ИМС, для полупроводниковых ИМС Р0 = 4,5 Вт/мм2.

В нашем случае

R1 - R4 :

bр = 3,5183 мкм

R5 :

bр = 34,1512 мкм

6. Расчетное значение ширины резистора определяется максимальным из расчитанных значений:

bрасч = max{ bP , bточн }

R1 - R4 :

bрасч = 3,5183 мкм

R5 :

bрасч = 34, 1512 мкм

Расчеты b для R1 - R4 дают значение ширины резистора меньше технологически возможной (5 мкм), поэтому для последующих расчетов принимаем bрасч = 5 мкм

7. С учетом растравливания окон в маскирующем окисле и боковой диффузии ширина резистора на фотошаблоне должна быть несколько меньше расчетной:

bпром = bрасч – 2(Dтрав - Dу)

( 5.7)

Dтрав – погрешность растравливания маскирующего окисла,

Dу – погрешность боковой диффузии

для расчета примем Dтрав = 0,3 ; Dу = 0,6 тогда

R1 - R4 :

bпром = 5,6 мкм

R5 :

bпром = 34,7512 мкм

8. Выберем расстояние координатной сетки h для черчения равным 1 мм и масштаб чертежа 500:1, тогда расстояние координатной сетки на шаблоне

мкм.

9. Определяем топологическую ширину резистора bтоп . За bтоп принимают значение большее или равное bпром значение, кратное расстоянию координатной сетки фотошаблона.

В нашем случае

R1 - R4 :

bтоп = 6 мкм

R5 :

bтоп = 34 мкм

10. Выбираем тип контактных площадок резистора. Исходя из расчитанной топологической ширины выбираем для R1 - R4 площадку, изображенную на рис.1а, для R5 – на рис. 1б.

Реферат опубликован: 2/08/2009