Расчёт элементов эмиттерно-связанной логике

Страница: 4/5

2.16 Из формулы:

, (2.18)

определяем мощность эмиттерных повторителей:

2.17 Из формулы:

, (2.19)

определяем мощность потребляемую источником опорного напряжения:

2.18 Из формулы (2.17), (2.18), (2.19) определяемм суммарную мощность потребляемая элементом (одинаковая для состояния “0” и “1”):

2.19 Из формулы:

, (2.20)

, (2.21)

определяем и :

2.20 Из формулы:

, (2.22)

определяем входное сопротивление элемента, когда на входе действует напряжение логического “0”:

2.21 Из формулы:

, (2.23)

определяем входное сопротивление элемента, когда на его входе действует напряжение логической “1”:

2.22 Из формулы:

, (2.24)

определяем входное сопротивление элемента, когда на выходе действует напряжение логического “0”:

2.23 Из формулы (24) определяем выходное сопротивление элемента, когда на выходе действует напряжение логической “1”:

Расчёт динамических параметров

2.24 Из формулы:

, (2.25)

где fT – граничная частота усиления транзистора.

При fT=11 МГц определяем:

2.25 Из формулы:

, (2.26)

и

, (2.27)

где М – количество транзисторов в схеме VT1¸VT3, VT6; Ск - ёмкость коллекторных переходов транзисторов; Сп1 – паразитная ёмкость металлических соединений и изоляции транзисторов и резистора R1; С2 – ёмкость на выходе транзистора VT6; В – статическое значение коэффициента усиления транзистора VT6; Сн – ёмкость нагрузки; Сп2 – паразитная ёмкость изоляции резистора R6 и металлических соединений подключенных к выходу схемы.

При М=4, Ск=2 пФ, Сп1= 1 пФ, Сн=30 пФ, Сп2= 2 пФ.

2.26 Из формулы:

, (2.28)

2.27 Из формулы:

, (2.29)

Реферат опубликован: 13/10/2007