Страница: 5/7
|
| |||||
|
|
| ||||
R2 Rэ
CЭ Rэоб
|
|
Рис. 5
Принципиальная схема оконечного каскада изображена на рис.3
Поскольку у нас симметричная нагрузка то будем вести расчёт на одно плечо.
|
|
Уравнение линией нагрузки будет выглядеть следующим образом:
IКмах=40мА
Динамическая линия нагрузки транзистора
I мА
40
Р.Т.
20
|
|
|
|
0 100 350 700 UкэВ
Рис. 4
|
|
Возьмем RЭ=4кОм и RК=13.5кОМ
Рабочая точка: IК0=20мА UКЭ0=350В
|
|
Найдем рассеиваемую мощность
PRк=5.4Вт и PRэ=I2Э0*RЭ=1.7Вт
Произведём расчёт базового делителя:
Пусть Iдел=5мА
UЭ0= IЭ0*RЭ=20мА*4кОм=82В - напряжение на эмиттере
UБ0= UЭ0*UБЭ=82.5В - напряжение на базе
R2= UБ0/Iдел=16400»16 кОм
R1=112272 Ом»110 кОм
RБ»14кОм
Найдём коэффициент термонестабильности NS=1+RБ/RЭ=4,6
Определим крутизну
S=IК0/м*jт=256мА/В
Рассчитаем gэкв
Реферат опубликован: 1/02/2010