Refine
Добавить в избранное Главная  ·  Поиск рефератов  ·  Украинские рефераты ·  Карта сайта  

Радиоэлектроника, компьютеры, периферийные устройства > Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме


Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме

Страница: 1/9
напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэтому такие приборы называют диодами Ганна). В отечественной литературе их называют также приборами с объемной неустойчивостью или с междолинным переносом электронов, поскольку активные свойства диодов обусловлены перехо

Название: Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме
Дата публикации: 2004-09-11

Реклама



Page generation 0.015 seconds