Refine
Добавить в избранное Главная  ·  Поиск рефератов  ·  Украинские рефераты ·  Карта сайта  

Радиоэлектроника, компьютеры, периферийные устройства > Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния


Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния

Страница: 1/5
ы и зависимость их от технологий производства…………………………………………………….6 3 Диффузионная длина, фотопроводимость, время жизни………… 7 3.1 Понятие времени жизни………………………………… .8 3.2 Фотопроводимость……………………………………… 9 3.3 Многозарядные ловушки в полупроводниках……….… 11 4. Установка для измерения жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках…………………………………………….13 Заключение…………………………………………………….14 Использованные источники………………………………… 15 Приложение……………………………………………………16 Введение. Технология получения чистого полупроводникого кремния на данный момент отработана достаточно хорошо. Наиболее чи

Название: Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния
Дата публикации: 2004-09-11

Реклама



Page generation 0.017 seconds