Страница: 5/18
Однако потребности и запросы в области обработки видеосигналов все возрастают, и Intel готовит новую спецификацию - AGP Pro (в настоящее время доступен Revision 0.9) - направленную на удовлетворение потребностей высокопроизводительных графических станций. Новый стандарт не видоизменяет шину AGP. Основное направление - увеличение энергоснабжения графических карт. С этой целью в разъем AGP Pro добавлены новые линии питания.
Предполагается, что будет существовать два типа карт AGP Pro - High Power и Low Power. Карты High Power могут потреблять от 50 до 110W. Естественно, такие карты нуждаются в хорошем охлаждении. С этой целью спецификация требует наличия двух свободных слотов PCI с component side (стороны, на которой размещены основные чипы) карты.
При этом данные слоты могут использоваться картой как дополнительные крепления, для подвода дополнительного питания и даже для обмена по шине PCI! При этом на использование этих слотов накладываются лишь незначительные ограничения.
При использовании слотов для подвода дополнительного питания:
· Не использовать для питания линии V I/O;
· Не устанавливать линию M66EN (контакт 49В) в GND (что вполне естественно, так как это переводит шину PCI в режим 33 MHz).
При использовании слота для обмена по шине:
· Подсистема PCI I/O должна разрабатываться под напряжение 3.3V c возможностью функционирования при 5 V.
Поддержка 64-разрядного или 66 MHz режимов не требуется.
Карты Low Power могут потреблять 25-50W, поэтому для обеспечения охлаждения спецификация требует наличия одного свободного слота PCI.
При этом все retail-карты AGP Pro должны иметь специальную накладку шириной соответственно в 3 или 2 слота, при этом карта приобретает вид достаточно устрашающий.
При этом в разъем AGP Pro можно устанавливать и карты AGP.
3. Registered DIMM SDRAM
Я думаю, что все знают, что модули оперативной памяти обычного компьютера вставлена в разьёмы SIMM или DIMM. Есть также ещё пока мало распространённые RIMM, ну а про RDIMM совсем мало, что слышно.
Для начала надо сказать, что разработчиком памяти стандарта RDIMM являются IBM и Intel. Модули памяти для RDIMM SDRAM поддерживаются чипсетом BX, соответсвуют спецификации PC-100 и являются усовершенствованными, а точнее Регистровыми (Registered) DIMM SDRAM . Основное отличие RDIMM от обычных DIMM SDRAM заключается в пропускной способности (bandwith): 800 и 1600 Мбайт/сек (последняя цифра особенно нравится, так как первой уже наступают на пятки мощные 3D-приложения) и называются соответсвенно SDR (Single Data Rate) и DDR (Dual Data Rate) RDIMM SDRAM. Не путать DDR SDRAM с DR DRAM (отличается работой на чаcтототе до 800 MHz, выйдет во 2 квартале и будет дороже за счёт обязательного лицензирования).
Итак, IBM анонсировала модули такой памяти обьёмом 256 Мбайт, сделанной по технологии 0.20 мкм и имеющие плотность чипов в 4 раза больше, чем у обычных, что сделало возможным создание буферизированного 256 Мбайтного модуля памяти. Кстати, по заявлению той же IBM нет никаких преград для увеличения плотности записи в 8 раз выше обычной, а значит, есть теоритическая возможность создания буферизированных 512 Мбайтных модулей.
Теперь рассмотрим архитектуру DDR RDIMM SDRAM на примере 64 Мбайтных модулей. Для осуществления эффективного ввода/вывода данных устанавливаются конденсаторы (рядом с каждым чипом). Эти конденсаторы сделаны из новейших диэллектрических материалов. Сама IBM уже применяет модули RDIMM 64-256 Мбайт, а также небуферизированные модули обьемом 512 Мбайт в своих Hi-End системах серии Netfiniti.
<TBODY> |
SDR RDIMM |
DDR RDIMM |
Время прерывания (циклов) (Burst length ) |
2, 4, 8 |
2, 4, 8 |
Тип прерывания (Burst type) |
Последовательное чередование (sequential interleave) |
последовательное чередование (sequential interleave) |
Число тактов для работы с памятью (CAS latency) |
2, 3, 4 |
2, 2.5, 3 |
Режим работы |
Нормальный, Режим записи (single write), Режим тестирования (test mode) |
Нормальный, Режим сброса операций DLL, Режим тестирования (test mode), Режим расширенного регистрирования (Extended register mode set), Включение/выключение операций DLL</TBODY> |
Реферат опубликован: 6/05/2007