Страница: 4/8
Находим сопротивление резистора R3
R3 = (Uн + Uбэ3) / IR3 = (15 + 0.7) / 5´10-4 =31400 Ом. (4.11)
Выбираем ближайший по стандарту номинал с учетом рассеиваемой на резисторе мощности
РR3 = (Uн + Uбэ3) ´ IR3 = (15 + 0.7) ´ 5´10-4 = 7.85´10-3 Вт. (4.12)
В соответствии с рядом Е24 выбираем резистор типа МЛТ- 0.125 33 кОм ±5%.
Источником эталонного напряжения берем параметрический стабилизатор напряжения на кремневом стабилитроне VD2 из расчета
UVD2 = 0.7 Uн = 0.7 ´ 15 = 13.5 В. (4.13)
Выбираем тип стабилитрона и выписываем его основные параметры:
стабилитрон 2С213Б;
I VD2 = 5´10-3 А – средний ток стабилизации;
r VD2 = 25 Ом – дифференциальное сопротивление стабилитрона.
Вычисляем сопротивление резистора R4, задавши средний ток стабилитрона (I R4 = I VD2)
R4 = 0.3 Uн / I R4 = 0.3 ´ 15 / 5´10-3 = 900 Ом. (4.14)
Мощность, рассеиваемая на резисторе R4, равняется
РR4 =0.3Uн ´ I R4 = 0.3´15´ 5´10-3 = 22.5´10-3 Вт. (4.15)
В соответствии с рядом Е24 выбираем резистор типа МЛТ- 0.125 910 Ом ±5%.
Определяем начальные данные для выбора транзистора VT4. Рассчитываем напряжение коллектор-эмиттер транзистора
Uк4max = Uн + Uбэ3 + Uбэ2 - UVD2 = 2.90 В (4.16)
Задаем ток коллектора VT4 меньшим нежили средний стабилитронаVD2
I К4 = 4´10-3 А .
Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора VT4
Р2 = Iк4 ´ Uк4 max = 4´10-3 ´ 2.90 = 11.6´10-3 Вт (4.17)
По полученным значениям Uк4 max , Iк4 , Р4 выбираем тип транзистора и выписываем его параметры:
|
Марка транзистора |
КТ312В |
|
Тип транзистора |
NPN |
|
Допустимый ток коллектора, Iк доп |
30 мА |
|
Доп. напряжение коллектор-эмиттер, Uк доп |
15 В |
|
Рассеиваемая мощность коллектора, Pпред |
0.22 Вт |
|
Минимальный коэф. передачи тока базы, h21Э4 min |
50 |
По статическим ВАХ выбранного транзистора находим:
h11Э4 = 208,3 Ом ,
m3 = 1 / h12Э4 = 1 / 0.034 = 29.41
Рассчитываем ток базы VT4
IБ4 = Iк4 / h21Э4 min = 4´10-3 / 50 = 8´10-5 А. (4.18)
Ток последовательно соединенных резисторов R5, R6, R7 берем равным 5Iб4 и определяем суммарное сопротивление делителя
Rдел = Uн / Iдел = 15 / (5 ´ 8´10-5) = 37500 Ом. (4.19)
Находим сопротивления резисторов:
R5 = 0.3 Rдел = 0.3 ´ 37500 = 11250 Ом;
R6 = 0.1 Rдел = 0.1 ´ 37500 = 3750 Ом;
R7 = 0.6 Rдел = 0.6 ´ 37500 = 22500 Ом. (4.20)
В соответствии с рядом Е24 выбираем резистор R5 типа МЛТ- 0.125 11 кОм ±5%, резистор R7 типа МЛТ- 0.125 22кОм ±5% . Резистор R6 выбираем СП3-44 0.25Вт 3.3кОм.
Рабочее напряжение стабилитрона VD1 определяем из соотношения
UVD1 = 0.1 Uвх max = 0.1 ´ 22 = 2.2 В. (4.21)
Выбираем тип стабилитрона и выписываем его основные параметры:
стабилитрон 2С119А;
I VD1 = 5´10-3 А – средний ток стабилизации;
r VD1 = 15 Ом – дифференциальное сопротивление стабилитрона.
Вычисляем сопротивление резистора R1, задавши средний ток стабилитрона (I R1 = I VD1)
R1 = 0.9 Uвх max / I R1 = 0.9 ´ 22 / 5´10-3 = 3960 Ом. (4.22)
Мощность, рассеиваемая на резисторе R1, равняется
R1 = 0.9Uвх max ´ I R1 = 0.9´ 22´ 5´10-3 = 99´10-3Вт (4.23)
В соответствии с рядом Е24 выбираем резистор типа МЛТ- 0.125 3.9 кОм ±5%.
Определяем начальные данные для выбора транзистора VT1. Рассчитываем ток коллектора транзистора VT1
Реферат опубликован: 19/01/2007