Расчет топологии толстопленочной микросхемы

Страница: 3/4

Высокая механическая прочность керамики позволяет

использовать плату в качестве детали корпуса с отверстиями, пазами, а высокая теплопроводность дает возможность изготовлять мощные микросхемы.

Самую высокую теплопроводность имеет бериллиевая керамика, но в массовом производстве ее не используют из-за высокой токсичности окиси бериллия. Керамику типа "поликор" применяют для создания многослойных толстопленочных БИС.

В условиях массового производства используют пасты из керамики 22ХС, изготовляемые прессованием порошков или методом шликерного литья с последующим обжигом при температуре 1650 градусов Цельсия.

Точность изготовления пассивной части микросхемы в значительной мере зависит от плоскотности и шероховатости платы. Максимальная кривизна поверхности (макронеровность) не должна превышать 4 мкм на 1 мм. Шероховатость (микронеровность) рабочей поверхности платы должна быть не ниже 8-го класса (высота неровностей 0,32-0,63 мкм). Более высркая чистота обработки поверхности платы, так как агдезия толстых пленок к шероховатой поверхности лучше, а влияние микронеровностей мало сказывается на свойствах пленок толщиной 10-70 мкм.

Размеры плат определяются конкретной конструкцией корпуса. Толщина плат 0,6-1,0 мм. С учетом выбранного металлостеклянного корпуса 1206(153.15-1) и топологических расчетов размер платы будет 17,0 х 15,3 мм.

Способ монтажа навесных компонентов

_

Навесные компоненты рекомендуется располагать на одной стороне платы. нельзя устанавливать навесные компоненты на стороне платы, заливаемой компаундом , тк в виду усадки последнего возможен отрыв навесных элементов от платы.

В заданной схеме транзисторы типа КТ359 имеют конструкцию с жесткими выводами. При монтаже навесных компонентов с жесткими выводами проводники целесообразно покрывать защитным

диэллектриком, оставляя открытыми лишь контактные площадки. Контактные площадки следует располагать напротив выводов актиных элементов.

Заключительные операции

_

Присоединение внешних выводов

_

Присоединение внешних выводов будем выполнять с помощью проволоки. Отогнутый конец вывода не должен выходить за пределы внешнего контура контактной площадки. Внутренний диаметр

контактной площадки для монтажа внешнего вывода должен быть больше диаметра отверстия в плате на 0.1 мм.

Метод герметицации корпуса

Корпус будем герметизировать с помощью аргонодуговой сварки. Для посадки в корпусиспользуется клей колодного отверждения.

Схема технологического процесса _

изготовления разработанной ИМС _

-----------------¬ --------------------¬ ---------------------¬

¦ приготовление ¦ ¦ изготовление,очист¦ ¦ изготовление ¦

¦ паст ¦ ¦и термообраб.плат ¦ ¦ трафаретов ¦

L-------T--------- L---------T---------- L----------T----------

¦ ¦ ¦

L----------------------+------------------------

-----------+

Повторение для форми- ¦----------+-------------¬

рования: ¦¦ нанесение паст ¦

1 проводников,контакт-¦L---------T--------------

ных площадок, нижних ¦----------+-------------¬

обкладок конденсаторо⦦ термообработка паст ¦

2 Диэллектриков ¦L---------T--------------

3 Верхних обкладок L----------+

конденсаторов ----------+-------------¬

4 Резисторов ¦присоединение выводов ¦

L---------T-------------- ----------+-------------¬ ¦облуживание проводников¦ ¦ контаконых площадок ¦ ¦ и выводов ¦

L---------T-------------- ----------+-------------¬ ¦ подгонка резисторов ¦ L---------T-------------- ----------+-------------¬ ¦ монтаж навесных ¦

¦ компонентов ¦

L---------T-------------- ----------+-------------¬ ¦ герметизация ¦

L---------T-------------- ----------+-------------¬ ¦ контроль ¦

L------------------------

Список чертежей, схем и тп. _

1 Схема принципиальная и спецификация АБ 3.410.016.ЭЗ

2 Микросхема К225УП4. Сборочный чертеж. АБ 3.410.016.СБ 3 Подложка. 1-й слой. АБ 7.100.334

4 Подложка. 1 .4 слои АБ 7.100.335 5 Микросхема К225УП4. Спецификация.

Список литературы:

1 "Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование." Под ред. Л.А.Коледова

Издательство "Высшая школа", 1984

2 "Расработка гибридных микросхем частного применения."

А.Ф.Мевис, Ю.Г.Семенов, В.С.Полутин.

МИРЭА, 1988

3 "Микроэлектроника"

И.Е.Ефимов, И.Я.Козырь, Ю.И.Горбунов

Издательство "Высшая школа", 1987

4 "Интегральные микросхемы и основы их проектирования" И.М.Николаев, Н.А.Филинюк

Реферат опубликован: 13/04/2008