Страница: 3/4
8. Герметизация корпуса.
Площадки и проводники формируются методом свободной маски.
Защитный слой наносится методом фотолитографии.
5. Выбор корпуса ГИС.
Для ГИС частного применения в основном используется корпусная защита, предусматриваемая техническими условиями на разработку. Выберем корпус, изготавливаемый из пластмассы. Его выводы закрепляются и герметизируются в процессе литья и прессования.
Размеры корпуса (габаритные) 19.5мм´14.5мм, количество выводов–14, из них нам потребуется 10.
6. Оценка надёжности ГИС.
Под надёжностью ИМС понимают свойство микросхем выполнять заданные функции, сохраняя во времени значения установленных эксплуатационных показателей в заданных пределах, соответствующим заданным режимам и условиям использования, хранения и транспортирования.
Расчёт надёжности ГИС на этапе их разработки основан на определении интенсивности отказов-l(t) и вероятности безотказной работы-Р(t) за требуемый промежуток времени.
1. Рассчитаем l по формуле:
li=ai*Ki*l0i,
где l0i-зависимость от электрического режима и внешних условий, ai=f(T,Kн)-коэффициент, учитывающий влияние окружающей температуры и электрической нагрузки, Кi=K1-коэффициент, учитывающий воздействие механических нагрузок.
Воздействие влажности и атмосферного давления не учитываем, т.к. микросхема герметично корпусирована.
Для расчётов рекомендуются следующие среднестатистические значения интенсивностей отказов:
– навесные транзисторы l0т=10^-8 1/ч;
– тонкоплёночные резисторы l0R=10^-9 1/ч;
– керамические подложки l0п=5*10^-10 1/ч;
– плёночные проводники и контактные площадки l0пр=1.1*10^-91/ч;
– паяные соединения l0соед=3*10^-9 1/ч.
Коэффициенты ai берём из таблиц, приведённых в справочных материалах.
Коэффициенты нагрузки определяются из соотношений:
– транзисторов
КHI=II/IIдоп,
Кнт=max
Кнu=Ui/Uiдоп,
где I-ток коллектора соответствующего транзистора, U-напряжение коллектор-эммитер соответствующего транзистора, Iдоп, Uдоп-допустимые значения токов и напряжений;
– резисторов
КнR=Рi/Рiдоп,
где Рi-рассеиваемая на транзисторе мощность,
Рiдоп-допустимая мощность рассеивания.
Для различных условий экплуатации значения коэффициента в зависимости от нагрузок разные, выберем самолётные-К1=1.65.
После расчётов имеем:
|
Кнт1=0.0225 aт1=0.4 |
|
Кнт2=0.0018 aт2=0.4 |
|
Кнт3=0.045 aт3=0.4 |
|
Кнт4=0.11 aт4=0.4 |
|
КнR1=0.23 aR1=0.8 |
|
КнR2=0.062 aR2=0.7 |
|
КнR3=0.56 aR3=1.1 |
|
КнR4=0.37 aR4=0.95 |
|
КнR5=0.95 aR5=1.5 |
|
КнR6=1 aR6=1.6 |
|
lт1234=6.6*10^-9 |
|
lR1=1.32*10^-9 |
|
lR2=1.55*10^-9 |
|
lR3=1.815*10^-9 |
|
lR4=1.57*10^-9 |
|
lR5=2.48*10^-9 |
|
lR6=2.64*10^-9 |
|
l0соед=1.09*10^-7 |
|
l0пр=4.46*10^-7 |
Реферат опубликован: 24/08/2007