Страница: 4/5
2.16 Из формулы:
, (2.18)
определяем мощность эмиттерных повторителей:
2.17 Из формулы:
, (2.19)
определяем мощность потребляемую источником опорного напряжения:
2.18 Из формулы (2.17), (2.18), (2.19) определяемм суммарную мощность потребляемая элементом (одинаковая для состояния “0” и “1”):
2.19 Из формулы:
, (2.20)
, (2.21)
|
|
|
определяем и :
2.20 Из формулы:
, (2.22)
определяем входное сопротивление элемента, когда на входе действует напряжение логического “0”:
2.21 Из формулы:
, (2.23)
определяем входное сопротивление элемента, когда на его входе действует напряжение логической “1”:
2.22 Из формулы:
, (2.24)
определяем входное сопротивление элемента, когда на выходе действует напряжение логического “0”:
2.23 Из формулы (24) определяем выходное сопротивление элемента, когда на выходе действует напряжение логической “1”:
Расчёт динамических параметров
2.24 Из формулы:
, (2.25)
где fT – граничная частота усиления транзистора.
При fT=11 МГц определяем:
2.25 Из формулы:
, (2.26)
и
, (2.27)
где М – количество транзисторов в схеме VT1¸VT3, VT6; Ск - ёмкость коллекторных переходов транзисторов; Сп1 – паразитная ёмкость металлических соединений и изоляции транзисторов и резистора R1; С2 – ёмкость на выходе транзистора VT6; В – статическое значение коэффициента усиления транзистора VT6; Сн – ёмкость нагрузки; Сп2 – паразитная ёмкость изоляции резистора R6 и металлических соединений подключенных к выходу схемы.
При М=4, Ск=2 пФ, Сп1= 1 пФ, Сн=30 пФ, Сп2= 2 пФ.
2.26 Из формулы:
, (2.28)
2.27 Из формулы:
, (2.29)
Реферат опубликован: 13/10/2007