Страница: 4/12
(удельная электрическая проницаемость на площадь p-n перехода, деленная на четыре пи на ширину запорного слоя.
Физические характеристики, такие как ток пробоя, допустимые температуры работы, допустимая мощность рассеяния, мощность прибора и т.п. зависят от материала и и способа исполнения прибора.
Биполярные транзисторы.
Биполярный транзистор – монокристалл полупроводника, в котором созданы три области с чередующимися типами проводимости (p-n-p или n-p-n). Среднюю область называют базой, а крайние – коллектором и эмиттером. Переход между эмиттером и базой – эмиттерный переход, между базой и коллектором – коллекторный.
Назначение эмиттерного перехода – впрыскивание (инжекция) основных носителей эмиттера в базовую область.
Инжекция эмиттерного перезода оценивается через коэффициент инжекции:
(отношение эмиттерного тока, обусловленного носителями эмиттера к общему току эмиттера, созданному как основными носителями эмиттера, так и основными носителями базы). Для повышения эффективности эмиттера и уменьшения составляющей тока основных носителей базы область эмиттера делают с большей концентрацией основных носителей, нежели область базы.
Для базы инжектированные эмиттером носителями являются неосновными. При прямо смещении эмиттерного перехода вблизи него в базе возникает значительный рост неосновных носителей. Создается диффузионный поток от эмиттерного перехода к коллекторному (где их наоборот – недостаток). Под действием ускоряющего поля неосновные носители базы втягиваются в область коллектора, что создает управляемый коллекторный ток Iку в его цепи.
Коэффициент переноса показывает какая часть инжектированных эмиттером носителей достигает коллекторного перехода (т.к. естественно, достигают не все). Этот коэффициент определяется как отношение управляемого коллектором тока к току эмиттера, созданного основными носителями.
Также важным параметром является коэффициент передачи тока эмиттера (приращение тока коллектора к приращению тока эмиттера при неизменно напряжении на коллекторном переходе).
Этот коэффициент мало отличается от единицы (от 0.95 до 0.99). Но кроме коллекторного тока, созданного инжекцией, в коллекторной цепи течет еще и небольшой по величине обратный ток коллекторного перехода Iкбо, обусловленный неосновными носителями коллектора и базы. При изменении окружающей температуры обратный ток нарушает стабильность работы транзистора., т.к. Iк = Iку + Iкбо.
Можно также упомянуть, что каждый транзистор обладает рядом параметров. Часть из них можно назвать параметрами транзисторов при малых токах, а остальные – физическими параметрами транзистора.
Рассмотрим для начала параметры при малых токах. При малых токах транзистор можно рассматривать как линейный активный четырехполюсник, описываемый следующими уравнениями:
U1=h11I1+h12U2
I2=h21I1+h22U2
Где h11 – входное сопротивление при коротком замыкании на выходе
h12 – коэффициент обратной передачи при холостом ходе на входе
h21 – коэффициент усиления по току при коротком замыкании на выходе
h22 – выходная проводимость при холостом ходе на входе.
К физическим параметрам транзисторов относятся: rэ – сопротивление эмиттерного перехода с учетом объемного сопротивления эмиттерной области (обычно – несколько десятков Ом); rк – сопротивление коллекторного перехода (от нескольких сотен килоом до мегаома); rб – объемно сопротивление базы (несколько сот Ом).
Также любой транзистор обладает т.н. предельным характеристиками: предельной температурой переходов (для кремниевых транзисторов до 200 градусов по Цельсию, для германиевых – до 100) и максимальная мощность, рассеиваемая транзистором:
где Tокр – температура окружающей среды, RTокр – тепловое сопротивление, Tnmax – предельная температура переходов.
От температуры зависят и другие характеристики транзисторов, как то, например, при повышении температуры на 10 градусов ток Iкбо возрастает в 2 раза, что нарушает режим работы транзистора в сторону больших токов. Поэтому в промышленности применяются транзисторы из более термостойких материалов (кремниевые) и различные методы охлаждения схемы.
Однако, биполярные транзисторы обладают весьма небольшим входным сопротивлением и высокой инерционностью. Поэтому в компьютерах используются в основном полевые транзисторы, которые (к тому же) гораздо легче поддаются миниатюризации. Биполярные транзисторы дают большее быстродействие.
Реферат опубликован: 18/10/2007