Страница: 2/8
Образуется легко перемещаемая дырка (дырочная проводимость), примесь называют акцепторной.
Основным носителем заряда наз. Те кт в п/п >
П/п с дырочной проводимостью наз. п/п –p типа, а с электоронной проводимостью – n типа.
Движения носителей заряда т.е. ток обуславливается 2 причинами: 1) внешнее поле – ток наз. дрейфовым. 2)разнасть концентраций – ток наз. диффузионным.
В п/п имеется 4 составляющие тока:
i=(in)Д+(ip)Д+(in)Е+(ip)E
Д-диффузионный Е-дрейфовый
Электрические переходы.
Называют граничный слой между 2-ми областями тела физические св-ва кт. различны.
Различают: p-n, p-p+, n-n+, м-п/п, q-м, q-п/п переходы прим. В п/п приборах (м-метал прим. в термопарах)
Электронно-дырочный p-n переход.
Работа всех диодов, биполярных транзисторов основана на p-n переходе
Рассмотрим слой 2х Ge с различными типами проводимости.
|
|
р
n
Обычно переходы изготавливают несемметричными pp>> << nn
Если pp>> nn то p-область эмитерная, n- область- база
В первый момент после соединения кристаллов из-за градиента концентрации возникает диффузионный ток соновных носителей.
На границе основных носителей начнут рекомбинировать, тем самым обнажаться неподвижные ионы примесей.
Граничный слой. Будет обеднятся носителями заряда => возникнет внутреннее U. Это U будет препятствовать диффузионному току и он будет падать. С другой стороны наличие внутреннего поля обусловит появление дрейфого тока неосновных носителей. В конце концов диффузионный ток станет = дрейфовому току и суммарный ток через переход будет = 0
U контакта≈jтln((Pp0)/(np0))
jт≈25мB температурный потенциал при 300 К
Uк=0,6-0,7В Si;0,3-0,4В Ge.
Различают 3 режима работы p-n перехода:
1)Равновесный (внешнее поле отсутствует)
|
|
2) Прямосмещенный p-n переход.
|
|
В результате Uвнпадает =>возникает диф. ток электорнов I=I0 eU/mjт
m ≈ 1 Ge
2 Si I0 тепловой ток.
I обусловлен основными носителями зарядов. Кроме него ток неосновных носителей будет направлен встречно.: I= I0(eU/mjт-1)
3)Обратно смещенный p-n переход I- обусловлен токами неосновных носителей I=- I0
|
|
ВАХ p-n перехода
Емкости p-n переходов.
Различают: -барьерную, -диффузионную.
Барьерная имеет место при обратном смещении p-n перехода. Запирающий слой выступает как диэлектрик =>конденсатор e=f(U) Эта емкость использована в варикапах.
|
|
C ≈1/√U
Диффузионный ток имеет место при прямом смещении p-n перехода Cд=dQизб/dU
Реальные ВАХ p-n переходов.
Отличаются от идеальных след. образом:1)Температурная зависимость
|
Реферат опубликован: 29/12/2007