Страница: 5/8
Стокозатворная характеристика
|
|
крутизна:
S=(dIc/dUзи)
Uc=const
(МДП)-транзисторы-МОП
|
|
МОП: -с встроенным
-с индуцируемым
|
|
Структура и работа.
|
|
Работа основана на явлении изменения проводимости при поверхностном слое полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием электрического поля.
ВАХ:
стокзатворная изолированный канал
|
|
Встроенный канал
cтокзатворная
|
|
rк=1/s “+”высокое Rвх 1012…14 Ом, высокие допустимые напряжения
Применение:цифровая схемотехника, аналоговые ключи, входные-выходные каскады усилителей мощности, управляемые R.
Терристор
П/п прибор с 3-мя и более p-n переходами, применяется для переключения токов. Различают 2-х электродные – динистор и 3-х электродные – тринистор.
Динистор: структура и работа
|
| |||
| |||
Если преложить «+» к аноду то П1-П3 смещаются прямо ->их R мало, П2 смещается обратно. По мере возрастания Uлк ширина П2 увеличивается ->и с Uак создается U пробоя ->динистор открывается. После пробоя П2 его R резко падает и внешнее Uак перераспределяется на П1и П3 ->резко возрастает напряжение, ->I тоже растет ->возникает «+» обратная связь. Чем больше открывается П2, тем больше отпирается П1 и П3,тем больше I.
Ток через динистор, когда он открыт, ограничивается внешними элементами
ВАХ
Если U на динисторе =0 тогда ток определяется отношением E/Rн
Применение: можно построить генератор.
Тринистор:
Одна из баз имеет внешний вывод- управляющий электрод.
Подавая ток через базу можно увеличивать ток через переход П3 и создовать условия для раннего отпирания тринистора -> I управл.может управлять моментом отпирания
Реферат опубликован: 29/12/2007