Страница: 3/18
|
|
Все ИМС этого семейства имеют практически одинаковую функциональную схему:
Видно, что шина данных коммутируется полевым транзистором с изолированным затвором, на который подается управляющее напряжение со входа управления. Элемент полностью симметричен по входу и выходу данных, что делает его применение весьма удобным.
2.3 Организация оперативной памяти
Память МПВК должна удовлетворять требованиям высокого быстродействия и высокой надежности. Несмотря на достаточно высокие характеристики по этим показателям, обеспечиваемые современной элементной базой, с помощью относительно несложных и недорогих методов можно достичь существенно более высоких показателей быстродействия и надежности.
С целью повышения быстродействия имеет смысл применить расслоение памяти по адресам на 4 модуля (разбиение на 4 модуля оговорено в задании, так что целесообразно применить данное разбиение для улучшения быстродействия МПВК). Более подробно расслоение по адресам будет рассмотрено ниже.
Для повышения надежности модулей памяти было решено применить корректирующие коды. Наиболее распространен код Хэмминга позволяющий исправлять одиночные и обнаруживать двойные ошибки. Более подробно его применение рассматривается ниже.
2.3.1 Память с расслоением
Наличие в системе множества микросхем памяти позволяет использовать потенциальный параллелизм, заложенный в такой организации. Для этого микросхемы памяти часто объединяются в банки или модули, содержащие фиксированное число слов, причем только к одному из этих слов банка возможно обращение в каждый момент времени. Как уже отмечалось, в реальных системах имеющаяся скорость доступа к таким банкам памяти редко оказывается достаточной. Следовательно, чтобы получить большую скорость доступа, нужно осуществлять одновременный доступ ко многим банкам памяти. Одна из общих методик, используемых для этого, называется расслоением памяти. При расслоении банки памяти обычно упорядочиваются так, чтобы N последовательных адресов памяти i, i+1, i+2, . . . , i+N-1 приходились на N различных банков. В i-том банке памяти находятся только слова, адреса которых имеют вид k*N + i (где 0 < k < M-1, а M число слов в одном банке). Можно достичь в N раз большей скорости доступа к памяти в целом, чем у отдельного ее банка, если обеспечить при каждом доступе обращение к данным в каждом из банков. Имеются разные способы реализации таких расслоенных структур. Большинство из них напоминают конвейеры, обеспечивающие рассылку адресов в различные банки и мультиплексирующие поступающие из банков данные. Таким образом, степень или коэффициент расслоения определяют распределение адресов по банкам памяти. Такие системы оптимизируют обращения по последовательным адресам памяти, что является характерным при подкачке информации в кэш-память при чтении, а также при записи, в случае использования кэш-памятью механизмов обратного копирования. Однако, если требуется доступ к непоследовательно расположенным словам памяти, производительность расслоенной памяти может значительно снижаться.
Обобщением идеи расслоения памяти является возможность реализации нескольких независимых обращений, когда несколько контроллеров памяти позволяют банкам памяти (или группам расслоенных банков памяти) работать независимо.
Если система памяти разработана для поддержки множества независимых запросов (как это имеет место при работе с кэш-памятью, при реализации многопроцессорной и векторной обработки), эффективность системы будет в значительной степени зависеть от частоты поступления независимых запросов к разным банкам. Обращения по последовательным адресам, или, в более общем случае, обращения по адресам, отличающимся на нечетное число, хорошо обрабатываются традиционными схемами расслоенной памяти. Проблемы возникают, если разница в адресах последовательных обращений четная. Одно из решений, используемое в больших компьютерах, заключается в том, чтобы статистически уменьшить вероятность подобных обращений путем значительного увеличения количества банков памяти. Например, в суперкомпьютере NEC SX/3 используются 128 банков памяти.
Реферат опубликован: 6/09/2006