Страница: 7/10
3. Рассчитываем коэффициент формы резисторов и его относительную погрешность:
|
|
( 5.3) |
|
|
( 5.4) |
где DrS/rS – относительная погрешность воспроизведения удельного поверхностного сопротивления легированного слоя, которая вызвана особенностями технологического процесса, для расчета примем ее равной 0,05; ТКR – температурный коэффициент сопротивления базового слоя, он равен 0,003 1/°С.
Результаты расчета следующие:
|
R1 - R4 : |
КФ = 21,094; DКФ/ КФ = 0,00474 |
|
R5 : |
КФ = 15,719; DКФ/ КФ = 0,00636 |
4. Рассчитаем минимальную ширину резистора bточн, которая обеспечит заданную погрешность геометрических размеров:
|
|
( 5.5) |
где Db – погрешность ширины резистора;
Dl – погрешность длины резистора
В нашем случае
|
R1 - R4 : |
bточн = 1,0455 мкм |
|
R5 : |
bточн = 1,0617 мкм |
5. Определяем минимальную ширину резистора bP , которая обеспечит заданную мощность Р:
|
|
( 5.6) |
где Р0 – максимально допустимая мощность рассеяния для всех ИМС, для полупроводниковых ИМС Р0 = 4,5 Вт/мм2.
В нашем случае
|
R1 - R4 : |
bр = 3,5183 мкм |
|
R5 : |
bр = 34,1512 мкм |
6. Расчетное значение ширины резистора определяется максимальным из расчитанных значений:
bрасч = max{ bP , bточн }
|
R1 - R4 : |
bрасч = 3,5183 мкм |
|
R5 : |
bрасч = 34, 1512 мкм |
Расчеты b для R1 - R4 дают значение ширины резистора меньше технологически возможной (5 мкм), поэтому для последующих расчетов принимаем bрасч = 5 мкм
7. С учетом растравливания окон в маскирующем окисле и боковой диффузии ширина резистора на фотошаблоне должна быть несколько меньше расчетной:
|
bпром = bрасч – 2(Dтрав - Dу) |
( 5.7) |
Dтрав – погрешность растравливания маскирующего окисла,
Dу – погрешность боковой диффузии
для расчета примем Dтрав = 0,3 ; Dу = 0,6 тогда
|
R1 - R4 : |
bпром = 5,6 мкм |
|
R5 : |
bпром = 34,7512 мкм |
8. Выберем расстояние координатной сетки h для черчения равным 1 мм и масштаб чертежа 500:1, тогда расстояние координатной сетки на шаблоне
мкм.
9. Определяем топологическую ширину резистора bтоп . За bтоп принимают значение большее или равное bпром значение, кратное расстоянию координатной сетки фотошаблона.
В нашем случае
|
R1 - R4 : |
bтоп = 6 мкм |
|
R5 : |
bтоп = 34 мкм |
10. Выбираем тип контактных площадок резистора. Исходя из расчитанной топологической ширины выбираем для R1 - R4 площадку, изображенную на рис.1а, для R5 – на рис. 1б.
|
| |||
|
|
Реферат опубликован: 2/08/2009