Страница: 8/10
|
а |
б | ||
|
Рис. 1 Контактные площадки | |||
11. Находим реальную ширину резистора на кристалле, учитывая погрешности, вызванные растравливанием окисла и боковой диффузией:
|
b = bтоп + 2(Dтрав + Dу) |
( 5.8) |
В нашем случае:
|
R1 - R4 : |
b = 7,8 мкм |
|
R5 : |
b = 35,8 мкм |
12. Определяем расчетную длину резистора:
|
lрасч = b(R/rS – n1k1 – n2k2 – 0,55Nизг |
( 5.9) |
где Nизг – количество изгибов резистора на 90°; k1, k2 – поправочные коэффициенты, которые учитывают сопротивление околоконтактных областей резистора при разных конструкциях этих областей; n1, n2 – количество околоконтактных областей каждого типа.
В нашем случае
|
R1 - R4 : |
lрасч = 198,579 мкм |
|
R5 : |
lрасч = 284,4 |
13. Расчитаем длину резистора на фотошаблоне, учитывая растравливание окисла и боковую диффузию:
|
lпром = lрасч + 2(Dтрав + Dу) |
( 5.10) |
в нашем случае
|
R1 - R4 : |
lпром = 200,84 мкм |
|
R5 : |
lпром = 286,2 мкм |
14. За топологическую длину резистора lтоп берем ближайшее к lтоп значение, кратное расстоянию координатной сетки на фотошаблоне.
В нашем случае
|
R1 - R4 : |
lтоп = 200 мкм |
|
R5 : |
lтоп = 286 мкм |
15. Расчитываем реальную длину резистора на кристалле:
|
l = lтоп - 2(Dтрав + Dу) |
( 5.11) |
|
R1 - R4 : |
l = 198,2 мкм |
|
R5 : |
l = 284,2 мкм |
16. Определяем сопротивление рассчитанного резистора
|
Rрасч = rS ( 1/b + n1k1 + n2k2 + 0,55Nизг) |
( 5.12) |
В нашем случае
|
R1 - R4 : |
Rрасч = 4732, 991 Ом |
|
R5 : |
Rрасч = 3301, 55 Ом |
Погрешность расчета:
|
|
( 5.13) |
В нашем случае
|
R1 - R4 : |
DRрасч = 0,007 |
|
R5 : |
DRрасч = 0,00046 |
Результаты расчета вполне удовлетворяют заданной погрешности.
6. Последовательность расчета МДП – конденсатора.
МДП-конденсаторы (металл-диэлектрик-полупроводник) используют в качестве диэлектрика тонкий слой (0,05…0,12 мкм) SiO2 или Si3N4 . Нижней обкладкой служит высоколегированный эмиттерный слой, верхней – пленка алюминия толщиной от 5000 
до 1 мкм. Типичный МДП-конденсатор представляет собой обыкновенный плоский конденсатор, и его емкость определяется по формуле, пФ:
Реферат опубликован: 2/08/2009